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產(chǎn)品名稱: RTP-1200快速退火爐
RTP-1200小型快速退火爐(RTP/RTA)為韓國進(jìn)口的快速退火爐。
該儀器:尺寸小巧,使用風(fēng)冷、無須水冷,電流要求不高(3安培),性價比高,使用方便,非常適合科研院所的科研使用。
技術(shù)規(guī)格:
- 加熱方式:紅外鹵素?zé)簦?00W;
- 紅外燈數(shù)量:4支;
- 最快升溫速率:100℃/秒;
- 最快降溫速率:50秒(1000℃ → 400℃);
- 最高溫度:1200℃;
- 溫度精度:+/-0.3℃
- 最大樣品尺寸:15 x 20mm;
- 退火環(huán)境:真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氮混合氣等);
- 真空泵及極限壓力:機(jī)械泵,10-3Torr水平(選配);
- 電壓:220 V,單相;
- 儀器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);
- 質(zhì)量:凈重30Kg;
儀器特點(diǎn):
- 可在真空/不同氣氛/空氣不同環(huán)境下,對樣品進(jìn)行快速熱處理;
- 溫控精度高;
- 無須配置冷水機(jī);
- 無須使用三相電,普通實(shí)驗(yàn)室單相電即可使用;
- 緊湊的臺式設(shè)計(jì);
- 儀器操作方便,樣片裝取容易;
- 適合高?;蜓芯克蒲惺褂?;
- 價格合理,高性價比;
應(yīng)用領(lǐng)域:
- 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
- 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
- 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
- 硅化 (Silicidation);
- 擴(kuò)散 (Diffusion);
- 化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
- 離子注入后退火 (Implant Annealing);
- 電極合金化 (Contact Alloying);
- 晶體化和致密化 (Crystallization and Densification);
- 合金熔點(diǎn)分析;
- 薄膜沉積;
- 等等…
參考用戶:
北京大學(xué)、南京大學(xué)、吉林大學(xué)、湖南大學(xué)、廣西大學(xué)、齊齊哈爾大學(xué)、西北大學(xué)、中科院北京納米所、中科院蘇州納米所、蘇州EST等。
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